4008-110044
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专业半导体装备制造
产品性能：
◆垂直结构，高效产能，150片/批
◆稳定优良的成膜均匀性，重复性好
◆微环境低氧控制先进技术
◆硅片颗粒度控制稳定，国际标准
◆全自动流程，盒对盒，21盒存储
◆高集成度，完整的工厂MES系统对接
◆符合SECSⅡ/HSMS/GEM等标准
技术指标：
◆8英寸硅片，厚度200μm~1200μm；
◆沉积薄膜种类：Poly Si（多晶硅）、SiO2（TEOS）、Si3N4(氮化硅)；
◆温度范围300℃~1200℃，典型工作温度范围400℃~900℃；
◆400℃~900℃范围内，温度稳定性≤±0.5℃；
◆连续工作时间≥72小时；
◆极限真空度：≤1Pa；
◆薄膜一致性：
Poly Si：片内≤±2%，片间≤±2%，批间≤±2%；
SiO2： 片内≤±2%，片间≤±2%，批间≤±2%；
Si3N4： 片内≤±2%，片间≤±2%，批间≤±2%；
◆Poly Si薄膜生长应力指标：Poly Si：＜500Mpa（200nm）；
◆SiO2薄膜生长应力指标：SiO2（TEOS）：＜500Mpa（200nm）；
◆Si3N4薄膜生长应力指标：Si3N4：＜200Mpa（200nm）；
◆工艺炉管、保温桶、内衬均热管及石英舟均采用GE214石英材质；
◆炉压泄露速率：≤1.0Pa/min。
配套工艺：
◆氧化：干氧/湿氧（DCE, HCL）
◆氮、氢退火（快速热退火），烧结、合金，固化等
◆LPCVD工艺：多晶硅，氮化硅，氧化硅（PSG、BPSG等），TEOS,LTO/HTO,SIPOS等。
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