4008-110044
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专业半导体装备制造
设备特点：
◆适应多种规格尺寸工艺片：小方片、不规则及2、4、6、8英吋晶圆（碳化硅栅氧工艺及硅厚氧工艺（大于5um））
◆优化结构设计，占地面积小
◆灵活多样的工艺调整
◆操作使用维护极为方便
◆极高的精度指标及可靠性
产品性能：
◆工艺温度可达1350/1500℃（炉体可达更高的温度）
◆小批量R&D为5片/炉，生产型为25-50片/炉
◆手动装卸片/全自动盒对盒装卸片（Cassette to Cassette）
◆控温精度：≤±2℃
◆温度均匀性：≤±3℃（900℃-1400℃）
◆炉体漏率：≤1mbar/min
◆界面态密度：≤3E+11
◆栅氧膜厚均匀性（片内、片间、批次间）：≤2.5％；厚氧膜厚均匀性（片内、片间、批次间）：≤1％
◆炉型结构：水平/垂直
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